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純進口HQ graphene硒化鉬晶體

簡要描述:純度: 99.995%, 尺寸: 6-10mm

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2025-05-23
  • 訪  問  量:71

產(chǎn)品名稱

中文名稱:   純進口HQ graphene硒化鉬晶體

英文名稱:HQ graphene MoSe2 (2H Molybdenum Diselenide)

產(chǎn)品概述

MoSe2(2H 相)是一種間接帶隙為 ~1.1 eV 的半導體。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起,并且可以剝離成薄的 2D 層。MoSe2 屬于 VI 族過渡金屬硫族化合物 (TMDC)。HQ Graphene 生產(chǎn)的 2H 相二硒化鉬晶體的典型橫向尺寸為 ~0.8-1 cm,呈六邊形,具有金屬外觀。 我們生產(chǎn) p 型和 n 型 MoSe2,在室溫下的典型電荷載流子密度為 ~1015 cm-3,p 型為 ~10 18 cm-3 或更高。

MoSe2 (2H phase) is a semiconductor having an indirect band gap of ~1.1 eV. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. MoSe2 belongs to the group-VI transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The 2H phase Molybdenum Diselenide crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.8-1 cm, are hexagonal shaped and have a metallic appearance. We produce both p-type and n-type MoSe2, having a typical charge carrier density of ~1015cm-3 at room temperature and the p-type ~1018cm-3 and higher.

技術參數(shù)

純度: 99.995%

尺寸:6-10 mm

顏色: 銀灰色

產(chǎn)品特點

Electrical properties:Semiconductor, n-type

Crystal structure:Hexagonal

Unit cell parameters:a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type:Synthetic

Purity:>99.995%

應用領域

在電子學領域:

場效應晶體管(FET):由于其出色的電學特性,可用于制造高性能的場效應晶體管。例如,在集成電路中,基于硒化鉬晶體的 FET 能夠?qū)崿F(xiàn)更小的尺寸和更低的功耗。

在能源領域:

太陽能電池:可以作為太陽能電池的吸收層材料,提高光電轉(zhuǎn)換效率。比如在薄膜太陽能電池中,硒化鉬晶體能夠有效地吸收太陽光并轉(zhuǎn)化為電能。

電池電極材料:用作鋰離子電池或鈉離子電池的電極材料,具有較高的比容量和良好的循環(huán)穩(wěn)定性。

在催化領域:

析氫反應(HER)催化劑:在電解水制氫過程中,作為析氫反應的催化劑,降低反應的過電位,提高產(chǎn)氫效率。

二氧化碳還原反應(CO?RR)催化劑:有助于將二氧化碳轉(zhuǎn)化為有用的化學品或燃料。

在傳感器領域:

氣體傳感器:對某些氣體具有敏感性,可用于檢測氣體的濃度和成分。例如,檢測環(huán)境中的有害氣體如氨氣、硫化氫等。

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